IPB06N03LB G
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB06N03LB G |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 6902 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMultiple Devices 04/Jun/2009IPB06N03LB |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6902 κομμάτια του Infineon Technologies IPB06N03LB G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 50A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 83W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2782 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB06N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB080N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB075N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB072N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB072N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB065N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7Infineon Technologies -
IPB080N03L G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB065N06LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB06P001LATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3Infineon Technologies -
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB075N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB06N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB070N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB065N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7Infineon Technologies